nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個直流電壓，測量Id ，然后作兩者...nmos管的輸出電阻可以將柵端接地，在漏端加一個直流電壓，測量Id ，然后作兩者之間的比值即為漏端輸出電阻。
搭單個管子的電路，DC掃描柵極輸入電壓，得到電流值，用matlab處理得到擬合線性...搭單個管子的電路，DC掃描柵極輸入電壓，得到電流值，用matlab處理得到擬合線性曲線，根據(jù)斜率和截距，計算unCox、upCox和Vtn、Vtp。
電流、電壓、電阻、功率等參數(shù)間有以下?lián)Q算關(guān)系。 功率=電流*電壓 功率=電壓...電流、電壓、電阻、功率等參數(shù)間有以下?lián)Q算關(guān)系。 功率=電流*電壓 功率=電壓*電流 電流=電壓/電阻 功率：符號P單位W； 電壓：符號U單位V； 電阻：符號R單位...
電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個理想的電流源IS和一個電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)...電壓源可以等效轉(zhuǎn)換為一個理想的電流源IS和一個電阻RS的并聯(lián)。電流源可以等效轉(zhuǎn)換為一個理想電壓源US和一個電阻RS的串聯(lián)。即轉(zhuǎn)換公式：Us = Rs*Is。
mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動損耗。其中在待機狀態(tài)下最大的損耗就是...mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動損耗。其中在待機狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法：降低開關(guān)頻率、使用變頻芯片甚至跳頻芯片（在空載或很輕負(fù)載的...
對于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成...對于NMOS，其溝道中的載流子為電子；對于PMOS，其溝道的載流子為空穴，這就造成了二者電流方向的必然不同。
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