如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領域的電...如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領域的電流就等同于熱領域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
高溫反偏測試主要用于驗證長期穩定情況下芯片的漏電流，考驗對象是MOSFET邊緣結...高溫反偏測試主要用于驗證長期穩定情況下芯片的漏電流，考驗對象是MOSFET邊緣結構和鈍化層的弱點或退化效應。
SiC MOSFET的振蕩分別發生在開通瞬態的電流上升階段和電壓下降階段、以及關斷瞬...SiC MOSFET的振蕩分別發生在開通瞬態的電流上升階段和電壓下降階段、以及關斷瞬態的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
優化柵極驅動設計，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點，而這個平衡點就是開...優化柵極驅動設計，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點，而這個平衡點就是開關導通時漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形，理想的驅動波形如...
電源正常接入，也就是電源沒有正負反接，此時電源正常對負載供電。假設拿掉MOS...電源正常接入，也就是電源沒有正負反接，此時電源正常對負載供電。假設拿掉MOS管g極的電阻R1，此時MOS管將不導通，但Vin可以通過MOS管的體二極管對負載進行供電。...
靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵...靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路； 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，...
