增強(qiáng)型MOS管的工作原理基于柵源電壓（VGS）的控制。當(dāng)柵源之間不加電壓時(shí)，漏源...增強(qiáng)型MOS管的工作原理基于柵源電壓（VGS）的控制。當(dāng)柵源之間不加電壓時(shí)，漏源之間的PN結(jié)是反向的，因此不存在導(dǎo)電溝道，即使漏源之間加了電壓，也不會(huì)有電流通過...
導(dǎo)通狀態(tài) 增強(qiáng)型MOS管：需要外部正向偏置電壓才能導(dǎo)通。 耗盡型MOS管：在零門...導(dǎo)通狀態(tài) 增強(qiáng)型MOS管：需要外部正向偏置電壓才能導(dǎo)通。 耗盡型MOS管：在零門源電壓下即可導(dǎo)通。 關(guān)斷狀態(tài) 增強(qiáng)型MOS管：在關(guān)斷狀態(tài)下無載流子通道。 耗盡型...
OTL功放的形式：采用單電源，有輸出耦合電容。如圖所示電路中的R5（150kΩ）與...OTL功放的形式：采用單電源，有輸出耦合電容。如圖所示電路中的R5（150kΩ）與R4（4.7kΩ）電阻決定放大器閉環(huán)增益，R4電阻越小增益越大，但增益太大也容易導(dǎo)致信...
當(dāng)信號(hào)電壓是正半周的時(shí)候，VT1正向?qū)ǎ琕T2截止，+VCC通過VT1的c-e結(jié)，流過負(fù)...當(dāng)信號(hào)電壓是正半周的時(shí)候，VT1正向?qū)ǎ琕T2截止，+VCC通過VT1的c-e結(jié)，流過負(fù)載，從而在負(fù)載上得到放大后的正半周信號(hào)；當(dāng)信號(hào)電壓是負(fù)半周的時(shí)候，VT1截止，VT...
在電路中，當(dāng)電感、繼電器等儲(chǔ)能元件斷電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)。如果不加以處理...在電路中，當(dāng)電感、繼電器等儲(chǔ)能元件斷電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反向電動(dòng)勢(shì)。如果不加以處理，這個(gè)反向電動(dòng)勢(shì)可能會(huì)擊穿或損壞電路中的其他元件。肖特基二極管通過其續(xù)流作用，...
例如mΩ、MΩ，小寫m表示1×10-3；而大寫M表示1×106，所以kV的k在這里表示1×...例如mΩ、MΩ，小寫m表示1×10-3；而大寫M表示1×106，所以kV的k在這里表示1×103，應(yīng)采用小寫，綜上來看，對(duì)于計(jì)量單位來說，初始量級(jí)一般用小寫，大小寫往往區(qū)分...
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