hy1804場效應管代換型號KND3404B漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽...hy1804場效應管代換型號KND3404B漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽工藝技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗，具有優越的開...
低通濾波器的電路結構中，電容放在輸出端，電感放在輸入端，使電壓相位滯后。（...低通濾波器的電路結構中，電容放在輸出端，電感放在輸入端，使電壓相位滯后。（電容、電阻串聯） 高通濾波器的電路結構中，電容放在輸入端，電感放在輸出端，使電...
從傳遞函數的表達式中也可以看出，當 s 很小時，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；當s值...從傳遞函數的表達式中也可以看出，當 s 很小時，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；當s值增大，則 Vo(s)/Vi(s)也會增大；當s接近于無窮時，Vo(s)/Vi(s) 約為 AVF；所以為高...
KIA50N03BD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高...KIA50N03BD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流50A，采用先進的溝槽工藝技術，高密度電池設計，具有超低導通電阻RDS(開啟) 6.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，完全表...
因為注入方向和晶圓有一定傾角后，注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高，而抑...因為注入方向和晶圓有一定傾角后，注入離子與晶圓內部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效應的產生。 為什么一定是7°傾角呢？如果傾角過大，帶膠注入時，離子被...
對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導致Channel的能帶...對于短溝道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距離太近，導致Channel的能帶被向下拉，因此導致了處于Cut-Off狀態下的器件leakage會增大（因為溝道的勢壘降低了...
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