KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽...KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小...
電容在電路中可以儲存電能，當電路斷開時，電容可以釋放儲存的電能，為電路提供...電容在電路中可以儲存電能，當電路斷開時，電容可以釋放儲存的電能，為電路提供短暫的能量供應。 電容可以對交流信號進行濾波，去除信號中的雜波，提高電路的信噪...
有兩個或多個輸入端，一個輸出端。所有輸入端為正（高電平），輸出端為負（低電...有兩個或多個輸入端，一個輸出端。所有輸入端為正（高電平），輸出端為負（低電平）。所有輸入端為負（低電平），輸出端為正（高電平）。當有一個輸入端為負（低電...
KIA5N50HD?場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(on)=1.0Ω，...KIA5N50HD?場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(on)=1.0Ω，低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗以及在峰值電流或脈沖寬度方面...
下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達100MHz的高速電流反饋集...下圖所示為10MHz低通濾波器，此低通濾波器利用帶寬高達100MHz的高速電流反饋集成運放0PA603組成二階巴特沃思低通濾波器灘圖中R1=R2=159Ω ，C1=C2=100pF，其截止頻...
在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導通，使得在電源VDD和地VSS之間產...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導通，使得在電源VDD和地VSS之間產生低阻抗通路，從而引發大電流通過，對芯片造成永久性損壞的風險。這種效應通常是由...
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