半導體分立器件有哪些,分類介紹-KIA MOS管

分立器件

分立器件按功能劃分為二極管、三極管、場效應管和晶閘管等類型。最新研究顯示，其分類已拓展至材料維度，包含硅基、鍺基及化合物半導體器件。在結構維度上，涵蓋PN結二極管、雙極型晶體管和MOSFET等多種形式，其中硅基MOSFET因兼具大功率與高頻特性成為主流應用。分立器件廣泛應用于整流、信號放大和電力控制等領域。

半導體分立器件

半導體分立器件有哪些？

常見的半導體分立器件包括二極管、三極管、場效應管、晶閘管、IGB等。這些器件的主要制造材料包括硅、鍺、碳等半導體元素，第一代和第二代半導體是硅基材料，第三代儀碳化硅和氮化鎵為代表，主要用于制造二極管、MOS管、IGBT等。

二極管

二極管是一種具有單向導電性的半導體器件，具有陽極和陰極兩個電極。根據材料，二極管可以分為硅二極管和鍺二極管。二極管在電路中可以起到整流、檢波、開關等作用。二極管種類很多，包括穩壓二極管、肖特基二極管、瞬態二極管、光敏二極管等。

三極管

三極管是一種具有三個電極的半導體器件，基極、集電極和發射極。三極管可以通過控制基極電流來控制集電極和發射極之間的電流，從而實現放大信號的作用。三極管在電路中可以起到放大、開關、振蕩等作用。

場效應管

場效應管是一種通過電場效應控制電流的半導體器件，有源極、柵極和漏極三個電極。場效應管具有高輸入阻抗、低噪聲等優點，因此在高速、低功耗的電路中得到廣泛應用。

可控硅

可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管，是一種具有可控導通能力的半導體器件，它包括陽極、陰極和門極三個電極。晶閘管可以在控制信號的作用下實現導通和關斷，因此廣泛應用于電力電子、控制等領域。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。單向可控硅也就是我們通常所說的晶閘管，雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。

IGBT

IGBT，中文全稱絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT與微電子技術中芯片技術（CPU）一樣，IGBT芯片技術是電力電子行業中的“心臟”和“大腦”，能控制并提供大功率的電力設備電能變換，有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平。

半導體分立器件