元器件功耗計算公式,功率器件功耗計算-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-22
通用公式：
所有元器件的基礎(chǔ)功耗均遵循電學(xué)規(guī)律，可用公式P=IV(功率=電流x電壓)計算。
電阻：
電阻的發(fā)熱量由下式算得
P=I2R 或 P=U2/R
I--流過電流值(A)；R--電阻值(Ω)；U--電阻兩端的電壓(V)
變壓器
變壓器包括銅損和鐵損兩部分：
Pb= Pw + Pc
銅損：
Pw =2×Ip×Np×Lp×Rz
鐵損：
Pc=Pv×Ve
功率器件功耗計算
功率MOSFET：
通態(tài)功耗
Pd=IDS2RDS(ON)
IDS--漏極電流，A,給定值RDS(ON)-MOSFET在工作結(jié)溫下的通態(tài)熱阻，可按直接下式計算，也可以從器件數(shù)據(jù)手冊中查。RDS(ON)(Tj)=Ro[1+α(Tj-25o)],Ω, 通態(tài)電阻Ro--25℃時額定值，給定值α--溫度系數(shù)，一般為：0.01
開關(guān)損耗
開通時損耗：PON=IceoVcetofff
開通過程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss
關(guān)斷時損耗：Poff=IcVcestonf
關(guān)斷過程損耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6Coss
MOSFET的總損耗為：Ptotal=Pd+Pon+Poff+Pr+Pf
雙極型晶體管(IGBT)：
通態(tài)損耗(飽和損耗或穩(wěn)定損耗)：
Pc=UCEIcδ
開關(guān)損耗：
Ps=(1/2)UCEOIc(ton+toff)fs=(Eon+Eoff)fs
總損耗：
Pd=Pc+Ps
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>