30V100A MOS管,3203場效應管,KND3203B參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-21
KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術，極低導通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；優秀的QgxRDS（on）產品性能，符合JEDEC標準，開關速度快、內阻低，穩定可靠；適用于開關電源、家電控制板、LED射燈、電動工具、風扇、無刷電機中；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好，便于安裝和布局。
漏源電壓：30V
漏極電流：100A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：256MJ
總功耗：101W
閾值電壓：1.8V
總柵極電荷：50nC
輸入電容：2340PF
輸出電容：460PF
反向傳輸電容：305PF
開通延遲時間：11nS
關斷延遲時間：34nS
上升時間：102ns
下降時間：95ns
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