mos管短路保護(hù)電路圖文分享-KIAMOS管

高壓MOS/IGBT的短路保護(hù)電路

mos管短路保護(hù)電路

帶短路保護(hù)鎖定的驅(qū)動(dòng)的3腳為短路信號(hào)檢測(cè)入端；2腳為驅(qū)動(dòng)地；1腳為驅(qū)動(dòng)輸出。

當(dāng)電路存在短路的時(shí)候流過(guò)MOS的電流很大在S極電阻兩端產(chǎn)生的壓降導(dǎo)致三極管由截止進(jìn)入導(dǎo)通（當(dāng)然導(dǎo)到什么程度具體跟MOS的跨導(dǎo)有關(guān)系），因此驅(qū)動(dòng)電阻上面有壓降，MOS進(jìn)入放大區(qū)。

這個(gè)時(shí)候高電壓不會(huì)通過(guò)MOS進(jìn)行強(qiáng)電流放電，因而芯片不會(huì)有局部過(guò)熱的可能，在很短的時(shí)間內(nèi)保護(hù)電路檢測(cè)到短路存在關(guān)閉并鎖定驅(qū)動(dòng)電壓輸出，MOS僅承受了動(dòng)作時(shí)間內(nèi)的恒流功率損耗，安全性得到了很大提高。

此電路僅作為理解原理使用具體參數(shù)看實(shí)際工況選取。

S級(jí)的電阻是根據(jù)選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的，至于跨導(dǎo)這個(gè)不是主要因數(shù)；

這里三極管并不工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)他只是根據(jù)MOS的瞬態(tài)電流值調(diào)整MOS的驅(qū)動(dòng)電壓，保證在短路出現(xiàn)的時(shí)候IDM不至于超出安全工作范圍，這個(gè)時(shí)候由于在1US甚至更短的時(shí)間內(nèi)驅(qū)動(dòng)已經(jīng)被關(guān)斷并鎖定，所以不存在過(guò)功損耗，三極管的反映時(shí)間越快越好，其實(shí)這個(gè)電路是電流負(fù)反饋電路演變過(guò)來(lái)的，電路如下:

mos管短路保護(hù)電路