mos管尖峰吸收電路,MOS管開關電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-17
MOS管開關電路尖峰電流吸收電路分析：
說明：此種方法雖然能夠使支路上的電流削峰，但同時導致了開關速率變慢，謹慎參考，還需優化。
由于MOS管極間寄生電容的存在，尤其是漏極/柵極電容，導致了MOS管開關產生了電流尖峰，而電流尖峰可以看成是一個沖激信號，根據傅里葉變換可知，沖激信號在頻域范圍很寬，繼而此開關電路可能會影響后續硬件測試，例如功放中引入雜波。
電路如下，其中R7接信號發生器（1KHz方波），控制MOS管通斷，R12和二極管D1是MOS管寄生電容放電電路：
觀察可以發現，R7與R12上有著尖峰電流。
此時分析如下，由于每次寄生電容放電以及二極管的反向恢復電流會產生尖峰電流，現去掉二極管，并在MOS管柵極和源極接入電容C2和電阻R6，使得每次低電平來時，寄生電容放電給電容C2充電，以此削峰。
但需要注意的是開關時間從原來的20us延長至了100us，不適合高速電路了。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
