mos管并聯(lián)均流電路詳解,電路圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-16
MOS管并聯(lián)方法，為了使并聯(lián)電路中每個MOS管盡可能的均流，在設計并聯(lián)電路時需要考慮如下要素 ：
1、飽和壓降VDs或導通RDSon：對所有并聯(lián)的MOS管而言，導通時其管壓降是相同的，其結果必然是飽和電壓小的MOS管先流過較大的電流，隨著結溫的升高，管壓降逐漸增大，則流過管壓降大的MOS管的電流又會逐漸增大，從而減輕管壓降小的MOS管的工作壓力。因此，從原理上講，由于N溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或導通電阻RDSon具有正的溫度特性，是很適合并聯(lián)的。
2、開啟電壓VGS（th）：在同一驅動脈沖作用下，開啟電壓VGS（th）的不同，會引起MOS管的開通時刻不同，進而會引起先開通的MOS管首先流過整個回路的電流，如果此時電流偏大，不加以限制，則對MOS管的安全工作造成威脅；
3、開通、關斷延遲時間Td（on）、td（off）；開通上升、關斷下降時間tr、tf：同樣，在同一驅動脈沖作用下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也會引起MOS管的開通／關斷時刻不同，進而會引起先開通／后關斷的MOS管流過整個回路的電流，如果此時電流偏大，不加以限制，則同樣對MOS管的安全工作造成威脅。
4、驅動極回路的驅動輸入電阻、等效輸入電容、等效輸入電感等，均會造成引起MOS管的開通／關斷時刻不同。從上所述，可以看出，只要保證無論在開通、關斷、導通的過程流過MOS管的電流均使MOS管工作在安全工作區(qū)內，則MOS管的安全工作得到保障。為此，本文提出一種MOS管的新的并聯(lián)方法，著重于均流方面的研究，可有效的保證MOS管工作在安全工作區(qū)內，提高并聯(lián)電路的工作可靠性。
1.NMOS高端驅動：MOS管可以用來控制電源的上電時序，使一端從另一端獲得電流。當電路中電流很大時，由于同性能的NMOS導通電阻小于PMOS，因此驅動電路一般采用NMOS，應用時需要確保柵極驅動電壓高于源極電壓。
2.NMOS低端驅動：NMOS用于低端驅動時，NMOS的源極接地，只要在柵極加載一定驅動電壓，就可以驅動NMOS的漏極和源極導通了。
3.PMOS高端驅動：PMOS用于高端驅動時，源極接外接電源，漏極接后續(xù)負載，控制柵極電位為低電平時，PMOS導通，PMOS具有較大的導通電阻，價格比NMOS貴。不同于BJT管，MOS管具有正溫度系數(shù)，溫度升高時，導通阻抗會逐漸變大，如下圖所示：
根據(jù)MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中的均流，因此當電路中的電流很大時，一般會采用并聯(lián)MOS的方法來進行分流。如下圖所示為并聯(lián)MOS管實現(xiàn)電流均衡電路。
如上圖電路，采用MOS進行電流均流，當其中一路電流大于另一路MOS中的電流時，電流大的MOS產生的熱量就會多，從而引起導通阻抗的增大，減小流過的電流。MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來反復調節(jié)，最后可實現(xiàn)兩個MOS管之間電流的均衡。注意：兩個MOS管要完全一致，散熱過孔一致、布局一致、共用散熱片，確保工作環(huán)境一致。
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