MOSFET應用-緩沖電路種類介紹-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-01-29
緩沖電路分為由電阻、線圈和電容器等被動部件組合的電路，和包含半導體元器件的主動電路。
為了更好地發揮其的效果，必須將這些緩沖電路盡可能布局在在開關元件的附近。
a. CSNB緩沖電路零件數目少，但必須連接到橋式結構的上部和下部之間，因此缺點是線路會變得較長，因此通常不是用分立元器件，而是多用2合1 的分立元器件模塊。
b. RC 緩沖電路可在各開關元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn ON 時CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。
因此，當開關頻率變高時，RSNB 所消耗的電力可能會變為數W，而CSNB 很難很大，所以抑制尖峰的效果也會變得有限。此外，RSNB 的尖峰吸收能力有限，因此抑制效果也會受限。
c. RCD 緩沖電路的RSNB 消耗的電力與(b)相同，但因為只經由二極管吸收尖峰，比起(b)的吸收效果高、更實用。
但是，需要注意使用的二極管的恢復特性，因為吸收尖峰時的電流變化大，需要極力減少緩沖電路的配線電感。另外，如果將RSNB 與CSNB 并聯，在動作上也是相同的。
d. 非放電型RCD 緩沖電路的RSNB 只消耗CSNB 所吸收的電壓尖峰能量，CSNB 所積蓄的能量不會每次開關都充分釋放出來。
因此，即使開關頻率加快，RSNB 的消耗功率也不會變得很大，可以將CSNB 增大，大幅提高電路的抑制效果。但樣線路布局變得復雜，如果不是4 層以上的基板，布線會極為困難。
如上所述，這里介紹的緩沖電路各有長短，需要根據電源電路結構和轉換功率容量選擇最佳的緩沖電路。
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