KCP2920A場效應(yīng)管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新...KCP2920A場效應(yīng)管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新型溝槽技術(shù)，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極電荷，最小化開...
通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運(yùn)用輸入輸出端口，既可以...通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運(yùn)用輸入輸出端口，既可以實(shí)現(xiàn)降壓功能，也可以實(shí)現(xiàn)升壓功能。它由兩個(gè)MOS管和兩個(gè)二極管組成。
逆變器：通過控制開關(guān)器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調(diào)制（PWM）波形...逆變器：通過控制開關(guān)器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調(diào)制（PWM）波形，合成所需頻率和幅值的交流電。其電路復(fù)雜度通常高于整流器。
bms專用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟...bms專用mos管?KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；低跨導(dǎo)、快速切換，高效低耗；10...
為了確保無閂鎖操作，電路會自動感測器件中的最負(fù)電壓，并確保N溝道開關(guān)源極-基...為了確保無閂鎖操作，電路會自動感測器件中的最負(fù)電壓，并確保N溝道開關(guān)源極-基板結(jié)不存在正向偏置。振蕩器頻率的標(biāo)稱頻率為10kHz(VCC=5V)，但可以通過向振蕩器（...
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