bms mos,40v130a參數 低內阻,KND2904A場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-25
bms專用mos管KND2904A漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效率；低跨導、快速切換，高效低耗；100%雪崩測試以及改進的dv/dt能力，穩(wěn)定可靠，廣泛用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域，封裝形式：TO-252，體積小，方便安裝。
漏源電壓：40V
漏極電流：130A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：400A
雪崩能量單脈沖：250MJ
總功耗：130W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：135nC
輸入電容：6260PF
輸出電容：570PF
反向傳輸電容：580PF
開通延遲時間：18nS
關斷延遲時間：50nS
上升時間：20ns
下降時間：16ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
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