為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種...為了實現兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯。如圖，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這...
KNP1906A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2m...KNP1906A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流230A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，提高效率；具有高輸入阻抗、低功耗、開關速度快、高雪...
如圖所示，負載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導...如圖所示，負載接在電源與漏極之間。在其柵極上加一個邏輯高電平，則N-MOSFET導通，負載得電；在其柵極加一個邏輯低電平，則N-MOSFET關斷，負載失電。
當開關S1閉合時，繼電器的線圈通電，電源+V經過電感L1，向N1 N2（變壓器）的中...當開關S1閉合時，繼電器的線圈通電，電源+V經過電感L1，向N1 N2（變壓器）的中抽頭進行供電，此外，電流還會C1和R2（電阻）流向N3、N4的中抽頭。
KNB2904A場效應管參數性能優越，具有優異的RDSON和柵極電荷；漏源擊穿電壓40V，...KNB2904A場效應管參數性能優越，具有優異的RDSON和柵極電荷；漏源擊穿電壓40V，漏極電流130A，極低導通電阻RDS(開啟) 2.5mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗、提高效...
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