KLD60R380B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進的超級結(jié)技術(shù)生...KLD60R380B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓600V，漏極電流11A，采用KIA先進的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)，導通電阻RDS(開啟) 0.34Ω，低柵極電荷33nC，最大限度降低導通電阻、性能優(yōu)越；...
功率因數(shù)校正電路的作用是提高功率因數(shù)，減少諧波污染和線路損耗，提升電能利用...功率因數(shù)校正電路的作用是提高功率因數(shù)，減少諧波污染和線路損耗，提升電能利用效率。
運算放大器有同相輸入端和反相輸入端，輸入端的極性和輸出端是同一極性的是同相...運算放大器有同相輸入端和反相輸入端，輸入端的極性和輸出端是同一極性的是同相放大器，輸入端的極性和輸出端相反極性的為反相放大器。反相放大器電路具有放大輸入...
7n80場效應(yīng)管代換型號?KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進的平...7n80場效應(yīng)管代換型號?KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進的平面條狀DMOS技術(shù)制造，?RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，低柵極電荷27nC，最大限度降低導...
LCR數(shù)字電橋的原理是通過測量待測元件兩端的電壓和電流向量，結(jié)合相敏檢波與數(shù)...LCR數(shù)字電橋的原理是通過測量待測元件兩端的電壓和電流向量，結(jié)合相敏檢波與數(shù)字信號處理技術(shù)，運用矢量形式的歐姆定律計算阻抗參數(shù)。lcr數(shù)字電橋可以精確測量電子...
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