當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cg...當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個參數(shù)對于驅(qū)動電路的設計至關(guān)重要，因為它決定了驅(qū)動器需要提供的最大充電電流...
KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術(shù)制造，...KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術(shù)制造，極低導通電阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低柵極電荷，減...
步進電機控制器通過發(fā)出脈沖信號來驅(qū)動步進電機，實現(xiàn)對電機轉(zhuǎn)動角度、速度和方...步進電機控制器通過發(fā)出脈沖信號來驅(qū)動步進電機，實現(xiàn)對電機轉(zhuǎn)動角度、速度和方向的精確控制，是一種專門用于控制步進電機運行的設備。
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)...碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優(yōu)于傳統(tǒng)器件。
KIA08TB60DD快恢復二極管開關(guān)特性好、反向恢復時間短，適用于高頻開關(guān)電源和逆...KIA08TB60DD快恢復二極管開關(guān)特性好、反向恢復時間短，適用于高頻開關(guān)電源和逆變器場景；反向恢復時間僅需25納秒（典型值）；高溫穩(wěn)定性結(jié)溫可達175℃，采用高溫玻...
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