按照芯片功能的不同： 分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管...按照芯片功能的不同： 分立器件可以分為二極管、三極管、IGBT、MOSFET、晶閘管等。 按照功率、電流的不同： 分立器件可分為小信號器件和功率分立器件兩大類：小...
KNK74120A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進(jìn)平面工藝制造，極...KNK74120A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，采用先進(jìn)平面工藝制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）480mΩ（典型值），最大限度地降低導(dǎo)通電阻，低柵極電荷減少開關(guān)...
MOS管在功率放大電路中具有高頻響應(yīng)快、導(dǎo)通損耗低和驅(qū)動效率高等核心優(yōu)勢；廣...MOS管在功率放大電路中具有高頻響應(yīng)快、導(dǎo)通損耗低和驅(qū)動效率高等核心優(yōu)勢；廣泛應(yīng)用于專業(yè)音響系統(tǒng)、舞臺設(shè)備、汽車電子和射頻功率放大等領(lǐng)域。 1.高效率與大功...
當(dāng)漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cg...當(dāng)漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個參數(shù)對于驅(qū)動電路的設(shè)計至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了驅(qū)動器需要提供的最大充電電流...
KNF6145A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術(shù)制造，...KNF6145A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低導(dǎo)通電阻，超低柵極電荷，減...
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