MOS晶體管中的漏極/源極和基板結(jié)在晶體管工作期間反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)...MOS晶體管中的漏極/源極和基板結(jié)在晶體管工作期間反向偏置。這會(huì)導(dǎo)致器件中出現(xiàn)反向偏置漏電流。這種漏電流可能是由于反向偏置區(qū)域中少數(shù)載流子的漂移/擴(kuò)散以及雪...
數(shù)模轉(zhuǎn)換器，即D/A轉(zhuǎn)換器，簡稱DAC,是將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的設(shè)備。數(shù)模轉(zhuǎn)...數(shù)模轉(zhuǎn)換器，即D/A轉(zhuǎn)換器，簡稱DAC,是將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)的設(shè)備。數(shù)模轉(zhuǎn)換就是將離散的數(shù)字量轉(zhuǎn)換為連接變化的模擬量，實(shí)現(xiàn)該功能的電路或器件稱為數(shù)模轉(zhuǎn)換...
其基本原理是充電器將輸入的220V市電電壓經(jīng)整流濾波后轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷?00V左右的電壓...其基本原理是充電器將輸入的220V市電電壓經(jīng)整流濾波后轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷?00V左右的電壓,通過開關(guān)管的接通和關(guān)斷,使300V直流電壓變成受控制的交流電壓,交流電壓通過開關(guān)變...
TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns)，但是功耗大。COMS電路的速度慢，傳...TTL電路的速度快，傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns)，但是功耗大。COMS電路的速度慢，傳輸延遲時(shí)間長(25-50ns),但功耗低。COMS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān)，頻...
單向可控硅?由四層半導(dǎo)體材料組成，四層材料由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體交替組成，...單向可控硅?由四層半導(dǎo)體材料組成，四層材料由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體交替組成，它們的接觸面構(gòu)成了三個(gè)PN結(jié)。故單向可控硅也被稱為四層器件。
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