MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高...MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓...
2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設計，極低的導通電...2306場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設計，極低的導通電阻RDS(開啟)，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；?2306mos管具有低導通電阻、高開...
VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器...VT1和VT2構成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當電壓下降時，為使頻率不變，振蕩器由穩壓管VD1穩壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動VMOS大功率管，經變...
當u2是正半周期時，二極管Vd1和Vd2導通；而奪極管Vd3和Vd4截止，負載RL是的電流...當u2是正半周期時，二極管Vd1和Vd2導通；而奪極管Vd3和Vd4截止，負載RL是的電流是自上而下流過負載，負載上得到了與u 2正半周期相同的電壓；在u 2的負半周，u 2的...
KND3308A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導通電阻RDS(開啟) 6.2...KND3308A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ，最大限度地減少導電損耗；具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩定運行，確保...
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