反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。 反向...反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。 反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規定值時，在兩極間所產生的電壓降。
KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS...KND3203B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A；采用CRM（CQ）先進的溝槽MOS技術，極低導通電阻RDS(開啟) 3.1mΩ，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；優秀的Qg...
混合集成電路是一種將不同技術制造的電子元件(如半導體器件、陶瓷器件、電阻、...混合集成電路是一種將不同技術制造的電子元件(如半導體器件、陶瓷器件、電阻、電容等)集成在同一基板上,通過金屬線或焊接連接這些元件以實現功能電路。 混合集成...
當MOSFET從截止區經過放大區轉到可變電阻區時，對應其開通過程（反之為關斷過程...當MOSFET從截止區經過放大區轉到可變電阻區時，對應其開通過程（反之為關斷過程）。在放大區內，由于米勒效應，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充...
KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（...KNH2908B場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A；采用先進的溝槽技術，低RDS（ON）的高密度電池設計，極低導通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導電損耗；低...
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