KIA13N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流13A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.4Ω，高效低...KIA13N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流13A，導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.4Ω，高效低耗；低柵極電荷（典型值45nC），最小化開關(guān)損耗，具有快速切換能力、指定雪崩能量、...
KIA16N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流16A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.32Ω...KIA16N50H場效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流16A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.32Ω；低柵極電荷（典型值45nC），最小化開關(guān)損耗，具有快速切換能力、指定雪崩能量、改...
儲能電源場效應(yīng)管KIA10N60H漏源電壓600V，漏極電流9.5A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（O...儲能電源場效應(yīng)管KIA10N60H漏源電壓600V，漏極電流9.5A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）0.6Ω；低柵極電荷（典型值44nC），最小化開關(guān)損耗，具有快速切換能力、指定雪崩...
鋰電池保護板mos管KIA7P03A是一款高單元密度P溝道MOSFET，漏源電壓-30V，漏極電...鋰電池保護板mos管KIA7P03A是一款高單元密度P溝道MOSFET，漏源電壓-30V，漏極電流-7.5A，出色的導(dǎo)通電阻RDS（ON）18mΩ；具有超低的柵極電荷，最小化開關(guān)損耗，具...
逆變器場效應(yīng)管KNF7650A采用高級平面工藝制造，加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，能夠提升設(shè)...逆變器場效應(yīng)管KNF7650A采用高級平面工藝制造，加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，能夠提升設(shè)備性能，提高系統(tǒng)效率；KNF7650A漏源電壓500V，漏極電流25A，RDS（ON）為170mΩ；低...
KNX6650A場效應(yīng)管采用專有平面新技術(shù)，漏源電壓500V，漏極電流15A，為高壓、高...KNX6650A場效應(yīng)管采用專有平面新技術(shù)，漏源電壓500V，漏極電流15A，為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，RDS（ON）為0.33Ω；低柵電荷最小開關(guān)損耗、快速恢復(fù)體二極管...
