?16n50參數及代換,KIA16N50H場效應管參數,中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-29
KIA16N50H場效應管漏源電壓500V，漏極電流16A，出色的導通電阻RDS（ON）0.32Ω；低柵極電荷（典型值45nC），最小化開關損耗，具有快速切換能力、指定雪崩能量、改進的dv/dt能力，穩定可靠；在儲能電源中廣泛應用，提供卓越的開關性能；還熱銷于高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器；封裝形式：TO-220F、247、3P。
漏源電壓：500V
漏極電流：16A
漏源通態電阻：0.32Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：64A
單脈沖雪崩能量：853MJ
功率耗散：205W
總柵極電荷：45nC
輸入電容：2200PF
輸出電容：350PF
開通延遲時間：50nS
關斷延遲時間：90nS
上升時間：170ns
下降時間：80ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
