KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V...KIA6N70H場效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力...
KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有...KNX2804C場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流150A，采用先進的溝槽MOS技術，具有極低的導通電阻RDS（接通），能夠實現高效的電路控制；2804場效應管RDS（ON）為3.0...
KIA3407A場效應管采用了先進的溝槽工藝技術，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，R...KIA3407A場效應管采用了先進的溝槽工藝技術，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8m?（在VGS=10V時）；封裝形式：TO-220、TO-263。
1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵...1n65場效應管漏極電流1A，漏源電壓高達650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進的dv/dt...
1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時的開態電阻僅為...1n60具有1A的電流承受能力和高達600V的耐壓能力，且在VGS=10伏時的開態電阻僅為9.3?，確保穩定可靠的性能、低柵極電荷僅為5.0nC，在控制電荷時更加高效、還具備高...
KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100...KNX5610A場效應管采用高單元密度的先進溝槽技術，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優異的導通特性；超低柵極電荷，減小開...
