?5610場效應(yīng)管,5610參數(shù)管腳圖,KNX5610A中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-28
KNX5610A是最高性能的溝道N溝道MOSFETS，具有極高的單元密度，為大多數(shù)同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷。KNX5610A符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求。
KNX5610A場效應(yīng)管采用高單元密度的先進溝槽技術(shù)，漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，RDS（ON）=98mΩ（典型值）@VGS=10V，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性；超低柵極電荷，減小開關(guān)損耗；出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計，可靠性高，在各種工作條件下都能穩(wěn)定地工作；適用于高頻負載點同步降壓變換器、DC-DC電力系統(tǒng)聯(lián)網(wǎng)、負載開關(guān)等應(yīng)用場景，是電子器件領(lǐng)域中的一款高性能元件。
漏源電壓：100V
漏極電流：7A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：98mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：14A
最大功耗：22.7W
輸入電容：1535PF
輸出電容：60PF
總柵極電荷：26.2nC
開通延遲時間：4.2nS
關(guān)斷延遲時間：35.6nS
上升時間：8.2ns
下降時間：9.6ns
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
