單結晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個PN結作為發射極而有兩個基極的三端...單結晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個PN結作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結構是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶...
上拉電阻的目的是為了保證GPIO（低電平有效）無信號輸入時輸入端的電平為高電平...上拉電阻的目的是為了保證GPIO（低電平有效）無信號輸入時輸入端的電平為高電平，相反的，下拉電阻是為了保證GPIO（高電平有效）無信號輸入時輸入端的電平為低電平...
MOS管是單載流子（“多數載流子”）參與導電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET...MOS管是單載流子（“多數載流子”）參與導電的器件，是單極型晶體管。在MOSFET中，當施加適當的電壓時，多數載流子（電子或空穴，取決于半導體類型）在半導體表面...
電壓比較器廣泛應用于模擬電路和數字電路中，是將兩個輸入電壓進行比較，并根據...電壓比較器廣泛應用于模擬電路和數字電路中，是將兩個輸入電壓進行比較，并根據比較結果輸出相應的電平。電壓比較器在各種電子系統中發揮著重要作用，如信號處理、...
并聯多個MOSFET是一種常見的應用方式，這種方法有助于減少傳導損耗并分散功耗，...并聯多個MOSFET是一種常見的應用方式，這種方法有助于減少傳導損耗并分散功耗，從而限制最大結溫。 當多個MOSFET并聯時，由于每個器件的溫度系數是正的，即溫度升...
過電壓是指電路中電壓突然增加至遠遠超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異...過電壓是指電路中電壓突然增加至遠遠超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異常、開關電路失效、電感和電容器反復開關時產生的反向電壓等現象都會導致過電壓的產...
