MOSFET放大器簡(jiǎn)單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID...MOSFET放大器簡(jiǎn)單電路圖如下圖所示，在該電路中，漏極電壓 (VD)、漏極電流 (ID)、柵源電壓 (VGS) 以及柵極、源極和漏極的位置通過(guò)字母“G”、“S”和“ D”。
共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號(hào)在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時(shí)，o/p電壓可...共源放大器可以定義為當(dāng) i/p信號(hào)在柵極 (G) 和源 (S) 的兩端給出時(shí)，o/p電壓可以通過(guò)漏極內(nèi)負(fù)載處的電阻器放大和獲得。在此配置中，源端子充當(dāng)i/p和o/p之間的公共...
因?yàn)榉糯笃饔休斎牒洼敵鰞蓚€(gè)端口，會(huì)占用MOSFET其中兩個(gè)極，剩下那個(gè)極接地或電...因?yàn)榉糯笃饔休斎牒洼敵鰞蓚€(gè)端口，會(huì)占用MOSFET其中兩個(gè)極，剩下那個(gè)極接地或電源，作為參考電極。
共柵級(jí)的柵極電壓為 V b ，是固定電位。在源級(jí)輸入電壓發(fā)生變化時(shí)，直接改變了...共柵級(jí)的柵極電壓為 V b ，是固定電位。在源級(jí)輸入電壓發(fā)生變化時(shí)，直接改變了共柵管的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，產(chǎn)生了對(duì)應(yīng)的漏電流，可以看到共柵級(jí)的放大能力是源于共柵管的...
兩個(gè)開(kāi)關(guān)都撥到上面的時(shí)候稱為CASE1，都撥到下面的時(shí)候稱為CASE2。這也就是我們...兩個(gè)開(kāi)關(guān)都撥到上面的時(shí)候稱為CASE1，都撥到下面的時(shí)候稱為CASE2。這也就是我們平時(shí)所說(shuō)的同相放大電路和反向放大電路。
以Idvd曲線為例，對(duì)于MOS管來(lái)說(shuō)，大信號(hào)所體現(xiàn)的特性是直流的靜態(tài)工作點(diǎn)。那么...以Idvd曲線為例，對(duì)于MOS管來(lái)說(shuō)，大信號(hào)所體現(xiàn)的特性是直流的靜態(tài)工作點(diǎn)。那么其直流阻抗就是V/I=b/a。
