MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區(qū)域會發(fā)生漏電現(xiàn)...MOS管的GIDL效應(yīng)是指在柵極電壓較高的情況下，絕緣層下的溝道區(qū)域會發(fā)生漏電現(xiàn)象的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是由于高電場導(dǎo)致絕緣層中的電子發(fā)生穿隧效應(yīng)，從而形成漏電流。...
結(jié)漏泄漏電流為：當(dāng)晶體管關(guān)斷時，通過反偏二極管從源極或漏極到襯底或者阱到襯...結(jié)漏泄漏電流為：當(dāng)晶體管關(guān)斷時，通過反偏二極管從源極或漏極到襯底或者阱到襯底；這種反偏結(jié)泄露電流主要由兩部分組成： （1）由耗盡區(qū)邊緣的擴散和漂移電流產(chǎn)...
純電阻電路是指電流通過導(dǎo)體時，因?qū)w的電阻把電能轉(zhuǎn)化為熱能的電路。純電阻電...純電阻電路是指電流通過導(dǎo)體時，因?qū)w的電阻把電能轉(zhuǎn)化為熱能的電路。純電阻電路是除電源外，只有電阻元件的電路，或有電感和電容元件，但它們對電路的影響可忽略...
B值是指熱敏電阻特定溫度下阻值與該溫度下對數(shù)阻值的斜率的倒數(shù)，通常以K為單位...B值是指熱敏電阻特定溫度下阻值與該溫度下對數(shù)阻值的斜率的倒數(shù)，通常以K為單位。B值越大，溫度系數(shù)越小，溫度變化時電阻值的變化幅度也就越小。熱敏電阻是一種溫...
單結(jié)晶體管是一種利用PN結(jié)特性的半導(dǎo)體器件，它的工作原理基于PN結(jié)的電子輸運和...單結(jié)晶體管是一種利用PN結(jié)特性的半導(dǎo)體器件，它的工作原理基于PN結(jié)的電子輸運和控制。單結(jié)晶體管主要由三個區(qū)域組成：發(fā)射區(qū)（Emitter）、基區(qū)（Base）和集電區(qū)（...
bat54c參數(shù) 直流反向耐壓(Vr): 30V 平均整流電流(Io): 200mA 正向壓降(Vf):...bat54c參數(shù) 直流反向耐壓(Vr): 30V 平均整流電流(Io): 200mA 正向壓降(Vf): 1V @ 100mA 反向電流(Ir): 2μA @ 25V
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