對于大部分應(yīng)用，都是通過間接測量電阻兩端的壓降來獲取待測電路電流大小的，如...對于大部分應(yīng)用，都是通過間接測量電阻兩端的壓降來獲取待測電路電流大小的，如下圖所示。在要求不高的情況下，電流檢測電路可以通過運放放大轉(zhuǎn)換成電壓，反推算負(fù)...
這一類的電路通常用于低成本取得非隔離的小電流電源。它的輸出電壓通常可在幾伏...這一類的電路通常用于低成本取得非隔離的小電流電源。它的輸出電壓通常可在幾伏到三幾十伏，取決于所使用的齊納穩(wěn)壓管。所能提供的電流大小正比于限流電容容量。
降壓變換器原理圖如圖1所示，當(dāng)開關(guān)閉合時，加在電感兩端的電壓為（Vi-Vo），此...降壓變換器原理圖如圖1所示，當(dāng)開關(guān)閉合時，加在電感兩端的電壓為（Vi-Vo），此時電感由電壓（Vi-Vo）勵磁，電感增加的磁通為：（Vi-Vo）*Ton。
m7二極管，其尺寸都是46MIL，是一小電流、貼片二極管。M7的浪涌電流Ifsm為30A，...m7二極管，其尺寸都是46MIL，是一小電流、貼片二極管。M7的浪涌電流Ifsm為30A，漏電流(Ir)為5uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。M7采用GPP芯片材質(zhì)，里面有...
KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過...KIA65r300功率MOSFET是使用KIASemi先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過專門定制，具有很低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，使得功率轉(zhuǎn)換器具有高效，高功率密度等提...
在NMOS器件中，通過使柵極電壓高于源極電壓來使導(dǎo)通FET接通。通常，源極電壓與...在NMOS器件中，通過使柵極電壓高于源極電壓來使導(dǎo)通FET接通。通常，源極電壓與VIN端子處于相同電勢。要使柵極和源極間產(chǎn)生上述電壓差，需要一個電荷泵。使用電荷泵...
