這個(gè)電路主要用到了一個(gè)電容的充電回路，這里需要引入一個(gè)時(shí)間常數(shù)，如果剛給電...這個(gè)電路主要用到了一個(gè)電容的充電回路，這里需要引入一個(gè)時(shí)間常數(shù)，如果剛給電路通上電，并且按下左面的開關(guān)，那么電流會(huì)通過R1和R2和按鈕開關(guān)給電容充電，這個(gè)充...
一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極...一般在判斷好壞的時(shí)候先對(duì)MOS管放電，放電的目的就是使G極（柵極）和S極（源極）電位相同，放電直接在G極和S極之間用導(dǎo)線短接一下就可以了，也可以串接個(gè)電阻。
頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊...頻率：300 MHz 額定電壓(DC)：160 V 額定電流：600 mA 耗散功率：350 mW 擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)：160 V
漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態(tài)電阻（RDS(on)）...漏極電流（ID）：3 A 漏-源極電壓（VDSS）：20 V 漏-源極通態(tài)電阻（RDS(on)）：0.06 Ω 耗散功率（PD）：1.25 W 封裝：SOT-23
MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Se...MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET，是應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型...
MOS屬于電壓控制型器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中也是需要電流的...MOS屬于電壓控制型器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過程中也是需要電流的，因?yàn)镸OS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。 對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，開啟...
