襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅...襯底材料對MOSFET的閾值電壓有顯著的影響。普通的MOSFET襯底材料為硅晶片，但硅晶片在高溫、高電場下易發生擊穿，從而降低了閾值電壓。
USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優點...USB口的5V輸入，使用一顆SOT23-6的升壓IC，直接升壓到8.4V.電流在1A以下。優點是成本最低，缺點是，沒有鋰電池充電控制邏輯，和鋰電池指示燈。
1，PW4053，輸入5V，升壓輸出12.6V的三節鋰電池充電管理芯片，1A； 2，PW4203...1，PW4053，輸入5V，升壓輸出12.6V的三節鋰電池充電管理芯片，1A； 2，PW4203，輸入15V-20V，降壓輸出12.6V的三節鋰電池充電電流芯片，2A。 鋰電池如是可拆卸和...
橋式整流電路（全波橋式整流電路），是一種將交流電轉換成直流電的電子電路。這...橋式整流電路（全波橋式整流電路），是一種將交流電轉換成直流電的電子電路。這種電路能夠將輸入的交流電壓中的正負交替變化的電流都轉換為單向的直流電流，因而得...
RC電路的時間常數：τ=RC 式中，τ為RC充放電時間常數，單位是S；R為電阻，單...RC電路的時間常數：τ=RC 式中，τ為RC充放電時間常數，單位是S；R為電阻，單位是Ω；C為電容，單位是F。 V0 為電容初始電壓值； V1 為電容充滿電壓值； Vt 為...
（1） 在正偏時，當VD很小時，電流接幾乎為0。當VD增大到一定閾值后（圖中為0....（1） 在正偏時，當VD很小時，電流接幾乎為0。當VD增大到一定閾值后（圖中為0.7V左右），電流開始極快地以指數級增長（毫安級）。 （2） 在反偏時，反向飽和電流...
