MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就...MOSFET的失效很多都是由于過(guò)熱導(dǎo)致的，那么在選件選型，電路設(shè)計(jì)及PCB布局時(shí)就要格外注意應(yīng)用情況和設(shè)計(jì)余量，確保MOSFET的Tj不會(huì)超過(guò)其最大值。
總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí)，器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)...總功率損耗Ptot的定義是：在焊接襯底溫度維持在25℃時(shí)，器件達(dá)到最大結(jié)點(diǎn)溫度時(shí)所用的功率。可以用公式Tj=Tmb+Rth_j-mb*Ptot來(lái)表達(dá)，節(jié)點(diǎn)溫度才是最終的MOSFET是否...
如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SE...如果可以把電流始終限制在I_SET以下，可以去掉限流電阻，讓電流保持略小于I_SET，快速充電。如下圖，電流曲線的積分為V_CL，左右兩圖的陰影面積大小相同，可以看出...
共源共柵級(jí)由共源級(jí)實(shí)現(xiàn)電壓到電流的轉(zhuǎn)換，然后電流信號(hào)加到共柵級(jí)的源端。因此...共源共柵級(jí)由共源級(jí)實(shí)現(xiàn)電壓到電流的轉(zhuǎn)換，然后電流信號(hào)加到共柵級(jí)的源端。因此，構(gòu)成共源共柵級(jí)時(shí)共源管和共柵管類(lèi)型可以不同。如圖3.0.2.1，M1是輸入器件：PMOS...
當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓...當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候，我們選用標(biāo)稱gate電壓4.5V的場(chǎng)...
左圖中是直接耦合的共柵級(jí)，V b接固定電位，以電阻R D為負(fù)載。右圖為小信號(hào)等效...左圖中是直接耦合的共柵級(jí)，V b接固定電位，以電阻R D為負(fù)載。右圖為小信號(hào)等效電路（做圖水平拙劣），柵極接地，漏端輸出。該圖的輸出電阻（V i n = 0時(shí)兩壓控電...
<ul id="ou8ay"></ul>