?70n06場效應管參數,60v70a,to263,KIA70N06-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-10-27
KIA70N06場效應管漏源擊穿電壓60V,漏極電流70A,采用KIA專有的平面條狀DMOS技術制造,技術經過專門優化,有效降低導通狀態電阻,提供卓越的開關性能,并在雪崩模式和換向模式下承受高能量脈沖。70n06場效應管低導通電阻RDS(開啟) 0.015Ω,最大限度地減少導電損耗,還具有低柵極電荷、低漏電、快速開關、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力,性能穩定可靠;廣泛應用于汽車電子、直流/直流轉換器等低壓應用領域,以及便攜式和電池供電設備的高效開關功率管理;封裝形式:TO-263。
漏源電壓:60V
漏極電流:70A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:260A
單脈沖雪崩能量:650MJ
功率耗散:150W
閾值電壓:2-4V
總柵極電荷:40nC
輸入電容:2000PF
輸出電容:450PF
反向傳輸電容:32.5PF
開通延遲時間:12nS
關斷延遲時間:41nS
上升時間:33ns
下降時間:12ns
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