逆變器mos管,30a500v場效應管,8150場效應管,KNH8150A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-08-08
KNH8150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流30A，采用先進的平面加工技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 150mΩ（典型值）@VGS=10V，最大限度地降低導通電阻，低柵極電荷使開關損耗最小化；堅固的多晶硅柵極工藝，性能優(yōu)越、適合高集成度電路設計；廣泛用于無刷直流電機驅(qū)動器、電焊機、高效開關電源等領域，封裝形式：TO-3P，散熱出色、適合高功率應用。
漏源電壓：500V
漏極電流：30A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：120A
雪崩能量單脈沖：2000MJ
總功耗：333W
閾值電壓：2.5-4.5V
總柵極電荷：110nC
輸入電容：4152PF
輸出電容：506PF
反向傳輸電容：85PF
開通延遲時間：35nS
關斷延遲時間：109nS
上升時間：116ns
下降時間：75ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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