dcdc變換器mos管,80v160a場效應管,KNB2708A參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-18
KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術制造，極低導通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低柵極電荷，減少開關損耗提高效率；快速恢復體二極管、反向恢復時間短，性能優(yōu)越，穩(wěn)定可靠；廣泛應用于高效DCDC轉(zhuǎn)換器、同步整流、ups逆變器中，封裝形式：TO-263，散熱性能優(yōu)異、節(jié)省空間。
漏源電壓：80V
漏極電流：160A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：640A
雪崩能量單脈沖：1100MJ
總功耗：313W
總柵極電荷：115nC
閾值電壓：2-4V
輸入電容：9300PF
輸出電容：650PF
反向傳輸電容：260PF
開通延遲時間：50nS
關斷延遲時間：112nS
上升時間：135ns
下降時間：75ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。
