-100a-40v pmos,3204場效應(yīng)管,KPD3204B參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-17
KPD3204B場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關(guān)損耗，高效率低損耗；100%EAS保證、dV/dt效應(yīng)顯著下降，穩(wěn)定可靠，綠色設(shè)備可用，性能優(yōu)越；封裝形式：TO-252，體積小、散熱出色。
漏源電壓：-40V
漏極電流：-100A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-300A
雪崩能量單脈沖：361MJ
總功耗：83W
總柵極電荷：148nC
閾值電壓：-1.8V
輸入電容：6760PF
輸出電容：650PF
反向傳輸電容：440PF
開通延遲時(shí)間：15nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：70nS
上升時(shí)間：16ns
下降時(shí)間：30ns
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