040N10N,100v120a場效應管,KCX040N10N參數原廠-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-04
KCX040N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩定性，在電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應用；封裝形式：TO-263、TOLL-8，散熱良好。
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：256MJ
功率耗散：227W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：90nC
輸入電容：6772PF
輸出電容：952PF
反向傳輸電容：33PF
開通延遲時間：28nS
關斷延遲時間：48nS
上升時間：32ns
下降時間：27ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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