032n10n場效應(yīng)管參數(shù),120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-03
KCX032N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高效率；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩(wěn)定性，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應(yīng)用；封裝形式：TO-263、TOLL-8，散熱良好。
漏源電壓：100V
漏極電流：120A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：480A
單脈沖雪崩能量：800MJ
功率耗散：215W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：130nC
輸入電容：7470PF
輸出電容：930PF
反向傳輸電容：50PF
開通延遲時間：50nS
關(guān)斷延遲時間：97nS
上升時間：74ns
下降時間：30ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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