智能家居mos管,130a150v,KNB2915A場效應(yīng)管參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-08
KNB2915A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A；采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10mΩ，高效低耗；低Rds開啟、低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，穩(wěn)定可靠；適用于電機(jī)控制和驅(qū)動、電池管理、UPS（不間斷電源）等領(lǐng)域；封裝形式：TO-263，散熱良好。
漏源電壓：150V
漏極電流：130A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：500A
單脈沖雪崩能量：272MJ
功率耗散：428W
閾值電壓：4V
總柵極電荷：70nC
輸入電容：3560PF
輸出電容：330PF
反向傳輸電容：90PF
開通延遲時間：18nS
關(guān)斷延遲時間：35nS
上升時間：92ns
下降時間：70ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>