bldc mos,電機驅動器mos,?25a500v,KNH7650A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-19
KNH7650A場效應管漏源電壓500V，漏極電流25A，采用高級平面工藝制造，加固多晶硅柵極結構，能夠提升設備性能，提高系統效率；低導通電阻RDS(開啟) 170mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少開關損耗；性能優越、高效穩定，廣泛應用于BLDC電機驅動器、電動焊機、高效SMPS等；封裝形式：TO-3P。
漏源電壓：500V
漏極電流：25A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：100A
雪崩能量單脈沖：1800MJ
最大功耗：290W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：76nC
輸入電容：4280pF
輸出電容：1400pF
反向轉移電容：185pF
開通延遲時間：24nS
關斷延遲時間：100nS
上升時間：40ns
下降時間：35ns
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