bms mos管,80a40v場效應管,KNY3404D參數規(guī)格書-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-11
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術，極低導通電阻RDS(開啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，提升效率；具有開關速度快，內阻低，耐沖擊特性好的特點；低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進的dv/dt能力、100%雪崩測試，穩(wěn)定可靠、性能優(yōu)越；廣泛應用于PWM應用程序、電源管理、負載開關等；封裝形式：DFN5*6。
漏源電壓：40V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
單脈沖雪崩能量：210MJ
功率耗散：64W
閾值電壓：1.5V
總柵極電荷：58nC
輸入電容：2680PF
輸出電容：250PF
反向傳輸電容：225PF
開通延遲時間：7.3nS
關斷延遲時間：22nS
上升時間：16ns
下降時間：13ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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