3406場效應管,60v80a,dfn5*6,?KCY3406A參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-26
KCY3406A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術生產，低導通電阻RDS(on)=8.5mΩ，改進的工藝和電池結構經過特別定制，最大限度地降低導通電阻；具有低柵電荷、低反饋電容，降低功耗提高效率；開關速度快、改進的dvdt功能，穩定可靠；廣泛應用于同步整流器、逆變器系統的電源管理，封裝形式：DFN5*6。
漏源電壓：60V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：240A
雪崩能量單脈沖：81MJ
總功耗：63W
閾值電壓：2.0V
總柵極電荷：16.8nC
輸入電容：1065PF
輸出電容：430PF
反向傳輸電容：22PF
開通延遲時間：8nS
關斷延遲時間：19nS
上升時間：54ns
下降時間：8.8ns
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