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?mos管電平轉(zhuǎn)換電路,雙向電平轉(zhuǎn)換電路-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-10-30 

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mos管電平轉(zhuǎn)換電路,雙向電平轉(zhuǎn)換電路-KIA MOS管


mos管電平轉(zhuǎn)換電路

mos管電平轉(zhuǎn)換電路

工作原理:

從A到B

A為高電平時(shí),B作為輸入,此時(shí)為高阻態(tài),MOS管關(guān)斷,B端通過上拉,輸出高電平;

A為低電平時(shí),MOS管內(nèi)的體二極管導(dǎo)通,使MOS管的S極被拉低,考慮體二極管的壓降一般為0.7V,Vgs=3.3V-0.7V=2.6V,當(dāng)Vgs=2.6V>Vgs(th),MOS管導(dǎo)通,B端被拉低,輸出低電平;(MOS管的導(dǎo)通閾值電壓一定要小于2.6V)

A為高阻態(tài)時(shí),MOS管關(guān)斷,B端通過上拉,輸出高電平。


從B到A

B為高電平時(shí),MOS管關(guān)斷,A端通過上拉,輸出高電平;B為低電平時(shí),Vgs=3.3V>Vgs(th),MOS管導(dǎo)通,A端被拉低,輸出低電平;

B為高阻態(tài)時(shí),MOS管關(guān)斷,A端通過上拉,輸出高電平。


MOS管實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換電路

介紹一個(gè)使用單個(gè)MOS管來實(shí)現(xiàn)雙向電平轉(zhuǎn)換的電路,可以應(yīng)用在對速率要求不高的場景。

mos管電平轉(zhuǎn)換電路

圖為單個(gè)MOS管的電平轉(zhuǎn)換電路,用到一個(gè)NMOS和兩個(gè)10k電阻,非常簡單。

mos管電平轉(zhuǎn)換電路

上圖為一個(gè)階段的過程變化,首先分析一下當(dāng)從右邊的高壓側(cè)向左邊的低壓側(cè)發(fā)生電平變化時(shí),電路會(huì)有什么反應(yīng)。


當(dāng)右側(cè)開關(guān)直接接地,3.3V變?yōu)?V時(shí),模擬輸入一個(gè)低電平,此時(shí)MOS管Q1的漏極電壓為0V,由于MOS管的體二極管原因,左側(cè)1.8V電,經(jīng)過電阻R1,MOS管的體二極管,流入GND,此時(shí)MOS管Q1的源極電壓大概為0.6V左右,因此MOS管Q1的GS間電壓為Vgs=1.8V-0.6V=1.2V,由于1.2V的電壓已經(jīng)達(dá)到MOS管Q1的導(dǎo)通電壓,MOS管Q1開始導(dǎo)通,當(dāng)MOS管Q1導(dǎo)通以后,由于內(nèi)阻極小,會(huì)使MOS管源極電壓變?yōu)?V,便實(shí)現(xiàn)了0V輸出。


當(dāng)右側(cè)開關(guān)斷開以后,MOS管Q1的漏極會(huì)被拉到3.3V,此時(shí)模擬的是高電平輸入,此時(shí)MOS管Q1的Vgs電壓變?yōu)?V,因此MOS管Q1不導(dǎo)通,處于截止?fàn)顟B(tài),進(jìn)而電阻R1被上拉,MOS管Q1的源極電壓變?yōu)?.8V,實(shí)現(xiàn)了3.3V轉(zhuǎn)換為1.8V的電平轉(zhuǎn)換。

mos管電平轉(zhuǎn)換電路

再分析一下當(dāng)從左邊的低壓側(cè)向右側(cè)的高壓側(cè)發(fā)生電平變化時(shí),電路會(huì)有什么反應(yīng)。


當(dāng)左邊芯片內(nèi)部開關(guān)短接,變?yōu)?V時(shí),MOS管Q1的源極電壓為0V,此時(shí)MOS管Vgs電壓為1.8V,達(dá)到MOS管開啟電壓,因此MOS管的漏極電壓被拉到0V,實(shí)現(xiàn)了低電平轉(zhuǎn)換。


當(dāng)左邊芯片內(nèi)部開關(guān)斷開時(shí),電阻R1被上拉,此時(shí)MOS管Q1的源極電壓為1.8V,Vgs=0V,因此MOS管漏極的電壓會(huì)被右邊的3.3V電經(jīng)過電阻R2拉為3.3V。


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