nmos導(dǎo)通條件電流流向,nmos導(dǎo)通電壓-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-09-05
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動）。
PMOS的特性，Vsg大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。
mos管的工作區(qū)域
NMOS的電流流向和導(dǎo)通條件
電流流向：
NMOS的電流流向是從源極（S）到漏極（D）。當(dāng)正向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從源極流向漏極，即S-D。
導(dǎo)通條件：
NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就會導(dǎo)通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是正值或零。
PMOS的電流流向和導(dǎo)通條件
電流流向：
PMOS的電流流向是從漏極（D）到源極（S）。當(dāng)負(fù)向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時，電流從漏極流向源極，即D-S。
導(dǎo)通條件：
PMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）小于或等于閾值電壓（Vth）時。閾值電壓是一個特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs小于或等于Vth，PMOS就會導(dǎo)通。此時，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是負(fù)值或零。
對于NMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在0.2V到0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從源極到漏極（S到D）。
對于PMOS：
- 閾值電壓（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。
- 電流流向：從漏極到源極（D到S）。
說明：閾值電壓影響因素：襯底摻雜濃度，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，柵氧化層電容，關(guān)于襯底偏置效應(yīng)等。
NMOS和PMOS兩者的襯底濃度不為相同，然而，襯底濃度越大，對應(yīng)MOS管的閾值電壓也越大，所以一般PMOS的閾值電壓都要比NMOS要更大一些。
NMOS管的導(dǎo)通特性
NMOS是柵極高電平|VGS| > Vt(G電位比S電位高)導(dǎo)通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導(dǎo)通。|VGS| > Vt(G電位比S電位低)導(dǎo)通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導(dǎo)通。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>