nmos防反接保護(hù)電路,原理圖-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-08-23
基于NMOS的防反接電路如圖所示：
NMOS用于控制電源負(fù)極；
NMOS的漏極D接輸入電源負(fù)極，NMOS的源極S接板內(nèi)電源負(fù)極；
當(dāng)電源正接時(shí)，上電初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二極管的存在，NMOS的漏極與源極導(dǎo)通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V左右，Vgs=Vin-Vd6，選型合理的話，Vgs＞Vth，故NMOS導(dǎo)通。導(dǎo)通后，設(shè)通過(guò)電流為I，NMOS的導(dǎo)通阻抗為Rds(on)，則板內(nèi)地平面與輸入電源平面之間存在的壓降為△V=I*Rds(on)。故使用NMOS進(jìn)行防反接時(shí)需要關(guān)注由于導(dǎo)通阻抗帶來(lái)的回流問(wèn)題。
從圖中可以看出，電源電流走向先經(jīng)過(guò)負(fù)載然后從Q1 nmos的S極出nmos的D極，由于nmos的DS之間中存在寄生二極管，所以第一階段負(fù)載兩端的電壓為：
第二階段由于電源VCC還從R1、R2、Q1流過(guò)，由于R1和R2的存在會(huì)在Q1 nmos的GS之間建立壓降：
這是一個(gè)正反饋的原理，當(dāng)大于Q1 nmos的GS之間閾值電壓，那么Q1 nmos的DS之間就會(huì)被導(dǎo)通，隨著時(shí)間增加，nmos的DS之間就會(huì)等效為一個(gè)幾毫歐姆的電阻，就算在兩端流過(guò)大電流也不會(huì)有很大壓降產(chǎn)生。此時(shí)負(fù)載兩端電壓為：
通常在高電壓的場(chǎng)合，可以在R2兩端加一個(gè)穩(wěn)壓二極管，防止電源受到干擾產(chǎn)生尖峰波，從而使得nmos的GS之間電壓瞬間高于極限電壓Vgss而燒毀，從HY1603D的極限參數(shù)表中可以得到Vgss最高為20V。
當(dāng)然在低電壓的場(chǎng)合完全用不到穩(wěn)壓二極管D2，所以電路圖可以簡(jiǎn)化為下圖所示。
一般情況下nmos防反接電路
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