ujt,單結晶體管圖形符號,工作原理詳解-KIA MOS管

ujt,單結晶體管詳解

單結晶體管（UJT）又稱基極二極管，只有一個PN結作為發射極而有兩個基極的三端半導體器件，早期稱為雙基極二極管。其典型結構是以一個均勻輕摻雜高電阻率的N型單晶半導體作為基區，兩端做成歐姆接觸的兩個基極，在基區中心或者偏向其中一個極的位置上用淺擴散法重摻雜制成 PN結作為發射極。當基極B1和B2之間加上電壓時，電流從B2流向B1,并在結處基區對B1的電勢形成反偏狀態。

單結晶體管圖形符號、結構、等效電路

單結晶體管是由單獨的p型和n型半導體材料構成的，在器件的主導n型通道內形成一個單一的pn結（因此得名單結）。雖然單接合面電晶體晶體管的名稱是晶體管，但它的開關特性與傳統的雙極型或場效應晶體管非常不同，因為它不能用來放大信號，而是用作開關晶體管。

UJT具有單向電導率和負阻抗特性，在擊穿時更像一個可變的分壓器。與n溝道場效應晶體管一樣，UJT由一塊n型半導體材料固體組成，形成主電流傳輸通道，其兩個外部連接標記為Base2（B2）和Base1(B1)。第三個連接，被混淆地標記為發射器（e）位于通道沿線。發射器端子由一個從p型發射器指向n型基極的箭頭表示。單接合面電晶體的發射極整流p-n結是通過將p型材料熔化成n型硅通道而形成的。然而，p通道UJT與n型發射極端子也可用，但這些是很少使用。發射極結沿通道定位，使其更接近終端b2而不是B1。在UJT符號中使用一個箭頭，該箭頭指向基極，表示發射極端子為正，硅條為負材料。

如果將一個信號加在發射極上，且此信號超過原反偏電勢時，器件呈導電狀態。一旦正偏狀態出現，便有大量空穴注入基區，使發射極和B1之間的電阻減小，電流增大，電勢降低，并保持導通狀態，改變兩個基極間的偏置或改變發射極信號才能使器件恢復原始狀態。因此，這種器件顯示出典型的負阻特性，特別適用于開關系統中的弛張振蕩器，可用于定時電路、控制電路和讀出電路。

單結晶體管的特性

單結晶體管的伏安特性，是指在單結晶體管的e、b1極之間加一個正電壓Ue，在b2、b1極之間加一個正電壓Ubb，其發射極電流Ie與發射極電壓Ue的關系曲線。

單結晶體管的Ie——Ue伏安特性曲線如圖所示。

由單結晶體管的伏安特性曲線可見：

（1）當發射極所加的電壓Ue＜Up(峰點電壓，約6～8V)時，單結晶體管的Ie電流為很小的反向漏電電流，即曲線的AP段。此時，單結晶體管是處于截止狀態的，其e、b1極之間的等效阻值非常大，e、b1極之間相當于一個斷開的開關。

（2）當發射極所加的電壓Ue越過Up峰點電壓后，單結晶體管開始導通，隨著導通電流Ie的增加，其e極對地的電壓Ue是不斷下降的，即曲線的PV段。在曲線的PV段，其動態的電阻值是負值的，這一區間又叫負阻區。負阻區是一個過渡區，時間很短，隨著Ie電流的增加，電壓Ue將很快達到谷點電壓Uv。

（3）當Ie增加到谷點電壓所對應的電流，即谷點電流Iv之后，Ue將隨Ie的增加而增加，即曲線的VB段，其動態電阻是正值的，這一區間又稱為飽和區。單結晶體管工作在飽和區時，其e、b1極之間的等效阻值非常小，e、b1極之間相當于一個閉合的開關。

綜上所述，單結晶體管的e、b1極之間，相當于一個受發射極電壓Ue控制的開關，故可以用來作振蕩元件。

單結晶體管極性的判斷

單結晶體管極性的判斷方法常有兩種，一種是從外觀來看，另一種是用萬用表來測量。

（1）外觀判斷法。從外觀上看，引腳與外殼相通的電極，一般是b1極；與凸耳相靠近的電極一般為e極。

（2）萬用表判斷法

1）發射極e的判斷

單結晶體管，也叫雙基極二極管，有e、b1、b2三個電極，其三個管腳的極性可用萬用表的R×1K擋來進行判斷。測任意兩個管腳的正向電阻和反向電阻，直到測得的正反向電阻都基本不變時（一般約10KΩ～30 KΩ，不同型號的管阻值有差異），這兩個管腳就是兩個基極，剩下的另一個管腳就是發射極e。

2）b1、b2電極的判斷

在判斷出發射極e的基礎上，萬用表量程置于R×1K擋，黑表筆發射極，紅表筆分別接另外兩個極，萬用表兩次均會導通，兩次測量中，電阻大的一次，紅表筆接的就是單結晶體管的b1極。

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