mos管經常燒壞的原因以及解決方法-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-07-08
MOS管經常燒壞的原因主要包括過電壓、過電流、靜電放電、高溫、開關損耗過大、擊穿（交叉傳導）、沒有續流電流路徑等。
過電壓
過電壓是指電路中電壓突然增加至遠遠超過功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異常、開關電路失效、電感和電容器反復開關時產生的反向電壓等現象都會導致過電壓的產生。
因為MOS管對電壓的耐受性非常小，所以即使超出額定電壓僅幾納秒，也很容易導致設備損壞，因此MOS管的額定電壓應保守考慮預期的電壓水平，并且需要注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。
過電流
過電流是指電路中電流突然增加至遠遠超過功率MOS管承受范圍的情況，輸出負載過大、開關電路失效、電感和電容器反復開關時產生的反響電流都會導致過電流的產生。
因為導通電阻相對較高，高平均電流會在MOS管中引起較大的熱耗散，所以高電流且散熱不良，MOS管將因高溫而被燒壞，最佳解決方法是可直接并聯方式以共享高負載電流。
靜電放電和高溫
MOS管對靜電放電敏感，尤其是在與其他元件或人體之間發生的電荷交換現象，如果靜電放電能量過大，會導致MOS管的擊穿或損壞。同時，MOS管在高溫環境下工作時，會降低其電性能，進而引起燒壞。
因此，要保證焊接點的質量和穩定性。避免出現虛焊、冷焊等現象。也要關注散熱問題，通過加裝散熱片、風扇等散熱裝置來降低高溫問題。
開關損耗過大
由于開關損耗往往大于導通狀態損耗，如果損耗超出了MOS管的承受范圍，就會導致損壞。這要求在設計電路時，需要合理選擇電路元件，確保電路的穩定性和可靠性。
擊穿（交叉傳導）
如果兩個相對的MOS管的控制信號重疊，可能會出現兩個MOS管同時導通的情況，使電源短路，即擊穿條件。這會導致電源去耦電容通過兩個器件快速放電，使通過兩個開關設備的電流脈沖非常短但非常強，從而損壞設備。
沒有續流電流路徑
當通過任何電感負載切換電流時，如果沒有為該電流提供續流路徑，可能會導致MOS管損壞。這要求工程師在設計電路時，必須為此電流提供續流路徑，例如通過與每個開關器件反并聯連接的續流二極管。
為了避免MOS管燒壞，需要采取措施解決和防范過電壓現象，合理設計電路，選擇合適的元件，并加強電路維護，以確保電路的穩定性和可靠性。
MOS管控制端柵極串聯電阻是否過大？
雖然MOS管屬于電壓控制型器件，但是該電阻不能省，串聯該電阻起到隔離保護作用。
若該電阻太大，因為MOS管會有結電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達不到飽和開通狀態，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內即可。
若為正反轉控制電機驅動電路，如下圖4個二極管不能省，這4個二極管屬于電機線圈續流二極管，用于保護控制電路，若控制管使用的是MOS管，其內部一般會有寄生二極管，不需要外接。
雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。
在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。
典型電路：
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