?mos管的摻雜濃度,mos管摻雜類型-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-05-14
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由金屬柵極、氧化物絕緣層和半導(dǎo)體襯底組成。
其中，半導(dǎo)體襯底上形成了一個(gè)N型或P型溝道區(qū)域，該區(qū)域被氧化物絕緣層隔離，并通過(guò)金屬柵極施加電場(chǎng)控制著溝道區(qū)的導(dǎo)通和截止。
摻雜濃度對(duì)MOS管性能的影響
1.電阻率：與摻雜濃度成反比例關(guān)系；
2.閾值電壓：與摻雜濃度成正比例關(guān)系；
3.漏電流：與摻雜濃度成指數(shù)函數(shù)關(guān)系；
4.遷移率：與摻雜濃度呈現(xiàn)拋物線形狀。
N溝道MOS管的摻雜濃度
1.溝道區(qū)摻雜濃度：一般在1e15/cmへ3~5e16/cmへ3之間；
2.襯底摻雜濃度：一般在1e16/cmへ3~5e18/cmへ3之間；
3.接近襯底表面的溝道區(qū)摻雜濃度：一般要比深處高，因?yàn)楸砻鎽B(tài)的影響。
P溝道MOS管的摻雜濃度
1.溝道區(qū)摻雜濃度：一般在1e15/cmへ3~5e16/cmへ3之間；
2.襯底摻雜濃度：一般在1e16/cmへ3~5e18/cmへ3之間；
3.接近襯底表面的溝道區(qū)摻雜濃度：同樣要比深處高。
MOS管的摻雜類型主要分為P型和N型。
P型半導(dǎo)體是通過(guò)摻雜三價(jià)元素（如硼）形成的，其中空穴（多子）為主要載流子，因此P型半導(dǎo)體中空穴的濃度較高。P型半導(dǎo)體的特點(diǎn)是具有較高的空穴濃度，使其在電導(dǎo)性上表現(xiàn)為正電性。
N型半導(dǎo)體則是通過(guò)摻雜五價(jià)元素（如磷）形成的，其中電子（多子）為主要載流子，因此N型半導(dǎo)體中電子的濃度較高。N型半導(dǎo)體的特點(diǎn)是具有較高的電子濃度，使其在電導(dǎo)性上表現(xiàn)為負(fù)電性。
MOS管的工藝上為何要用兩層摻雜濃度不同的N型半導(dǎo)體來(lái)做N區(qū)？
圖中的N+是襯底（Substrate） ，N+表示高濃度N型參雜，襯底是構(gòu)建MOSFET的基礎(chǔ)（類似于蓋房子的地基）。 N-為外延層，N-表示低濃度參雜，在MOSFET截止時(shí)N-形成耗盡區(qū)，以保證MOSFET具有標(biāo)稱的耐壓。N+與漏極的電極連接，高濃度參雜以降低其電阻率。
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