mos管的輸出特性曲線(xiàn),三個(gè)區(qū),圖文詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-05-08
MOS管的輸出特性可以分為三個(gè)區(qū)：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。
特性曲線(xiàn)概念
①輸出特性曲線(xiàn)：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線(xiàn)。
②閾值電壓Vth：當(dāng)半導(dǎo)體層處于臨界反型時(shí)，施加在MOS管柵電容兩端的電壓值。
③輸出電流電壓關(guān)系表達(dá)式：
截止區(qū)：當(dāng)滿(mǎn)足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進(jìn)入截止區(qū)。
截止區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。截止區(qū)也叫夾斷區(qū)，在該區(qū)時(shí)溝道全部夾斷，電流Id為0，管子不工作。
恒流區(qū)：當(dāng)滿(mǎn)足Ugs≥Ugs(th)，且Uds≥Ugs-Ugs(th)，MOS管進(jìn)入恒流區(qū)。
恒流區(qū)在輸出特性曲線(xiàn)中間的位置，電流Id基本不隨Uds變化，Id的大小主要決定于電壓Ugs，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí)就是工作在恒流區(qū)(飽和區(qū))。
注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)(飽和區(qū))，相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。
可變電阻區(qū)：當(dāng)滿(mǎn)足Ugs＞Ugs(th)，且Uds＜Ugs-Ugs(th)，MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū)。
可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Uds的增加而上升，兩者基本上是線(xiàn)性關(guān)系，所以可以看作是一個(gè)線(xiàn)性電阻，當(dāng)Ugs不同電阻的阻值就會(huì)不同，所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個(gè)由Ugs控制的可變電阻。
擊穿區(qū)在輸出特性左邊區(qū)域，隨著Uds增大，PN結(jié)承受太大的反向電壓而被擊穿，工作時(shí)應(yīng)該避免讓管子工作在該區(qū)域。
根據(jù)MOS管的輸出特性曲線(xiàn)，比如下圖是取Uds=10V的點(diǎn)，然后用作圖的方法，可取得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。
轉(zhuǎn)移特性是表示Uds不變時(shí)，Id與Ugs之間的關(guān)系。
在上圖的轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)中可以看到當(dāng)Ugs大于4V時(shí)，Id大幅度增加，而當(dāng)Ugs到達(dá)6V時(shí)，Id達(dá)到了最大值。
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