可控硅和mos管的區別，圖文詳解-KIA MOS管

可控硅和mos管

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種基于半導體材料和場效應原理的數字電子開關。它由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）和互補介質氧化層（OX）組成。

MOS管可以通過柵極電壓的控制來實現導通和截斷狀態的切換。當柵極施加正向電壓時，會形成一個導通通道，電流可以從源極流向漏極；當柵極施加負向電壓時，通道被封閉，電流無法通過。

可控硅是一種功率半導體器件，可以實現電流和電壓的控制。它具有一個控制極（G）、一個負極（K）和一個正極（A）。

可控硅在導通狀態下能夠通過電流來控制，只有當控制極施加正向電流時，才能夠使得正極和負極之間形成一個導通路徑。一旦正向電流被斷開，可控硅立即進入阻斷狀態，不再導通電流。

mos管

功率場效應管也分結型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。mos管又分為N溝道、P溝道兩種。

mos管器件符號如下：

耗盡型：柵極電壓為零時，即存在導電溝道。無論VGS正負都起控制作用。

增強型：需要正偏置柵極電壓，才生成導電溝道。達到飽和前，VGS正偏越大，IDS越大。

可控硅（SCR）

主要參數：

額定通態平均電流IT：代表了可控硅的電流驅動能力。

反向阻斷峰值電壓VPR：反向控制管子關斷的電壓。

控制極觸發電流Ig：觸發可控硅導通的最小電流。

維持電流IH：沒有觸發的情況下，維持可控硅導通的最小源、漏級電流。

作用：

整流、逆變，一般用于電源、拖動驅動電路。

目前，工藝設備中使用可控硅作為電源、驅動的越來越少，逐步被IGBT取代，但千安以上的大電流驅動還有很廣泛的應用，比如發電廠、焊機。

特點：

電流大（可以到幾千、上萬安培），但開關速度慢。大電流的可控硅關斷往往需要輔助電路。

可控硅和mos管的區別

工作原理：

可控硅的工作原理基于PN結組成的四層結構，該結構在正向電流注入時會形成一種相互注入的狀態，從而實現導通。同時，可控硅也需要一個觸發電壓來將其從阻斷狀態切換到導通狀態。觸發電壓可以是正向電壓脈沖、連續正向電壓或施加在G極的觸發脈沖。

MOS管的工作原理基于柵極電壓的變化，其柵極與互補介質氧化層（OX）之間的電容可以通過施加不同的電壓來進行控制。當柵極電壓高于臨界電壓時，導通通道形成，將電流從源極引導到漏極。而當柵極電壓低于臨界電壓時，導通通道關閉，電流無法通過。

外部特征：

可控硅和MOS管的外部外形和引腳排列也存在一些區別。可控硅常常采用多腳直插封裝，每個引腳分別標有G、K和A；而MOS管常采用TO-92、TO-126或SOT-23等封裝形式，通常具有源極、漏極和柵極三個引腳。

作用不同：

可控硅是一種雙向可導通的半導體開關，可以通過控制其觸發角來調節電流的大小，在可控硅調光中，通過改變可控硅的觸發角，控制電路的導通時間，從而達到調節燈光亮度的目的；MOS管除了具有信號放大作用，還具有開關作用，作為開關時，MOS管的開關速度要高于可控硅。

應用：

可控硅由于其能夠控制大功率電流，因此廣泛應用于交流電調光、交流電電機調速、交流電電源控制等高功率場合。此外，可控硅還被廣泛應用于起動電路、保護電路和能源調節等領域。

MOS管由于其具有較高的開關速度和較低的功耗，廣泛應用于數字電路、通信系統和計算機等領域。在集成電路中，MOS管被用于構建邏輯門、存儲器芯片和微處理器等數字電路。

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